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NCE65T180D
NCE(无锡新洁能)
TO-263
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：21A，导通电阻(RDS(on))：180mΩ@10V,10.5A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NCE65T180D
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NCE(无锡新洁能)
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TO-263
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500+:￥5.57 100+:￥6.0 30+:￥6.96 10+:￥7.81 1+:￥9.36 |
587 |
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立即发货
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立创商城
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NCE65T180D
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NCE(无锡新洁能)
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TO-263-2
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500+:￥5.57 100+:￥5.98 20+:￥6.91 1+:￥7.81 |
1600 |
22+/24+
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在芯间
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NCE65T180D
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NCEPOWER/无锡新洁能
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TO-263-2
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2400+:￥5.427 1600+:￥5.7285 800+:￥6.03 |
8000 |
24+
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2-4周
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云汉芯城
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NCE65T180D
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NCEPOWER/无锡新洁能
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TO-263-2
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800+:￥6.0 |
4000 |
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5-10工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 21A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,10.5A |