SI2302DS-T1-GE3-ES
ElecSuper(静芯)
SOT-23
¥0.0508
5,300
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):3.3A,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@4.5V
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SI2302DS-T1-GE3-ES
ElecSuper(静芯)
SOT-23

21000+:¥0.0508

9000+:¥0.0547

3000+:¥0.0619

600+:¥0.0701

200+:¥0.0839

20+:¥0.1088

5300

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SI2302DS-T1-GE3-ES
ElecSuper/湖南静芯微

3000+:¥0.0552

3000

25+
3-4周

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 3.3A
导通电阻(RDS(on)) 45mΩ@4.5V