TPDMN26D0UFB4
TECH PUBLIC(台舟)
DFN1006-3L
¥0.0756
40,815
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):700mA,导通电阻(RDS(on)):300mΩ@2.5V,500mA,耗散功率(Pd):100mW
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TPDMN26D0UFB4
TECH PUBLIC(台舟电子)
DFN3_1X0.6MM

2000+:¥0.0756

1000+:¥0.0791

500+:¥0.084

100+:¥0.0945

20+:¥0.105

5+:¥0.1155

9980

-
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TPDMN26D0UFB4
TECH PUBLIC(台舟)
DFN1006-3L

20000+:¥0.0848

10000+:¥0.0916

2000+:¥0.1179

600+:¥0.1323

200+:¥0.1563

20+:¥0.1995

10820

-
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TPDMN26D0UFB4
TECH PUBLIC(台舟电子)
DFN3_1X0.6MM

2000+:¥0.0857

1000+:¥0.0896

500+:¥0.0951

100+:¥0.1067

20+:¥0.1184

5+:¥0.1301

9980

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TPDMN26D0UFB4
台舟电子(TECH PUBLIC)
DFN3_1X0.6MM

2000+:¥0.0952

1000+:¥0.1333

500+:¥0.1523

100+:¥0.1618

20+:¥0.1809

5+:¥0.2199

9980

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TPDMN26D0UFB4
TECH PUBLIC
DFN1006-3

1+:¥0.1501

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 700mA
导通电阻(RDS(on)) 300mΩ@2.5V,500mA
耗散功率(Pd) 100mW