4N65
GOODWORK(固得沃克)
TO-252
¥0.414
11,245
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):650V,连续漏极电流(Id):4A,导通电阻(RDS(on)):2.4Ω@10V
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4N65
GOODWORK(固得沃克)
TO-252

5000+:¥0.414

2500+:¥0.44

500+:¥0.5098

150+:¥0.6068

50+:¥0.6846

5+:¥0.866

6855

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GOODWORK(固得沃克)
TO-252

100+:¥0.541

30+:¥0.638

10+:¥0.715

5+:¥0.897

4390

20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id) 4A
导通电阻(RDS(on)) 2.4Ω@10V