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FQD2N100TM
onsemi(安森美)
TO-252(DPAK)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1000 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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FQD2N100TM
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onsemi(安森美)
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TO-252(DPAK)
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1000+:￥1.98 500+:￥2.15 100+:￥2.47 30+:￥3.28 10+:￥3.82 1+:￥4.89 |
6210 |
-
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立即发货
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立创商城
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FQD2N100TM
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ON(安森美)
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TO-252-3
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5000+:￥1.99245 1000+:￥2.02945 500+:￥2.06645 100+:￥2.1016 10+:￥2.1275 |
239271 |
24+
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现货
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硬之城
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FQD2N100TM
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ON(安森美)
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D-Pak
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2500+:￥2.24 1+:￥2.33 |
2489 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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FQD2N100TM
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ON(安森美)
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TO-252-3
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2500+:￥2.3296 1+:￥2.4232 |
2482 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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FQD2N100TM
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ON(安森美)
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TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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1250+:￥2.563 100+:￥2.827 20+:￥3.377 |
2489 |
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3天-15天
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唯样商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1000 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 欧姆 @ 800mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 15.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 520 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），50W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |