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NTMFS5C410NLT1G
onsemi(安森美)
SO-8FL
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A（Ta），302A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NTMFS5C410NLT1G
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ON(安森美)
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SO-8-FL
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3000+:￥3.36333 1000+:￥3.41079 500+:￥3.45825 100+:￥3.49938 10+:￥3.54368 |
166 |
22+
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现货
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硬之城
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NTMFS5C410NLT1G
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onsemi(安森美)
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SO-8FL
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2000+:￥2.6886 1000+:￥2.8108 200+:￥2.933 100+:￥3.1774 10+:￥3.2997 |
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立即发货
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立创商城
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NTMFS5C410NLT1G
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安森美(onsemi)
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DFN-5(5.1x6.1)
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500+:￥7.24 100+:￥8.326 30+:￥10.136 10+:￥12.308 1+:￥14.48 |
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油柑网
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NTMFS5C410NLT1G
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ON SEMICONDUCTOR
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5-DFN
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1+:￥18.032 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 46A（Ta），302A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 0.9 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 143 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8862 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），139W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 |