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IRF510PBF
VISHAY(威世)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRF510PBF
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VISHAY(威世)
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TO220
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1000+:￥1.73 1+:￥1.88 |
822 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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IRF510PBF
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Vishay(威世)
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TO-220AB-3
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1000+:￥1.7992 1+:￥1.9552 |
2821 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRF510PBF
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威世(VISHAY)
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TO-220AB-3
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500+:￥1.8392 100+:￥1.9855 50+:￥2.09 20+:￥2.926 10+:￥4.18 1+:￥6.803 |
8197 |
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油柑网
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IRF510PBF
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Vishay(威世)
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TO-220-3
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50+:￥2.068 20+:￥2.684 |
822 |
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3天-15天
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唯样商城
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IRF510PBF
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VISHAY(威世)
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TO-220
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500+:￥2.17 100+:￥2.36 20+:￥2.68 1+:￥3.26 |
5000 |
19+/21+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 540 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 8.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 180 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 43W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |