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SI2312A
华轩阳
SOT-23
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，导通电阻(RDS(on))：27mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.25W
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2312A
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HXY MOSFET(华轩阳电子)
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SOT-23
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9000+:￥0.0987 6000+:￥0.1048 3000+:￥0.1169 300+:￥0.1544 100+:￥0.1746 10+:￥0.2149 |
2660 |
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立即发货
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立创商城
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SI2312A
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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
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SOT-23
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9000+:￥0.0966 6000+:￥0.0991 3000+:￥0.1008 |
720000 |
24+
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5-7工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |