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TPH1R712MD,L1Q
TOSHIBA(东芝)
SOP-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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TPH1R712MD,L1Q(M
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东芝(TOSHIBA)
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SOP-8
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50000+:￥7.48 10000+:￥8.075 5000+:￥8.5 1000+:￥11.9 300+:￥17.0 10+:￥26.35 |
5000 |
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油柑网
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TPH1R712MD,L1Q
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TOSHIBA
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8-PowerVDFN
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1+:￥6.1672 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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TPH1R712MD,L1Q
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TOSHIBA(东芝)
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SOP-8
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30+:￥7.3 10+:￥8.42 1+:￥10.22 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.7 毫欧 @ 30A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 182 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10900 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 78W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |