FDMC8327L
onsemi(安森美)
Power33-8
¥2.912
2,750
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Ta),14A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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FDMC8327L
ON(安森美)
PowerWDFN-8

3000+:¥2.912

1+:¥3.0368

2669

25+
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FDMC8327L
ON SEMICONDUCTOR
WDFN-8

1+:¥6.0074

20

-
现货最快4H发
FDMC8327L
onsemi(安森美)
Power33-8

30+:¥7.71

10+:¥8.69

1+:¥10.27

61

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FDMC8327L
安森美(onsemi)
Power-33-8

30000+:¥3.2317

6000+:¥3.4888

3000+:¥3.6724

800+:¥5.1414

200+:¥7.3448

10+:¥11.3844

0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Ta),14A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9.7 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 26 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1850 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 2.3W(Ta),30W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerWDFN