IPB180P04P4L-02
Infineon(英飞凌)
TO-263-7
¥10.44
468
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(Id):180A,导通电阻(RDS(on)):2.4mΩ@10V,100A
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IPB180P04P4L-02
Infineon(英飞凌)
TO-263-7

100+:¥10.44

30+:¥12.01

10+:¥13.55

1+:¥16.0

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英飞凌(INFINEON)
TO-263-7

30+:¥76.1771

10+:¥91.4125

1+:¥137.1188

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 180A
导通电阻(RDS(on)) 2.4mΩ@10V,100A