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SSM3K35AMFV,L3F
TOSHIBA(东芝)
SOT-723
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：250mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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SSM3K35AMFV,L3F
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TOSHIBA(东芝)
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SOT-723
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5000+:￥0.11 2500+:￥0.1376 500+:￥0.1927 150+:￥0.2616 50+:￥0.3535 5+:￥0.5371 |
5745 |
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立即发货
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立创商城
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SSM3K35AMFV,L3F(T
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TOSHIBA
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VESM
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1+:￥0.1552 |
13514 |
2306
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现货最快4H发
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京北通宇
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SSM3K35AMFV,L3F(T
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东芝(TOSHIBA)
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SOT-723
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80000+:￥0.2431 16000+:￥0.2625 8000+:￥0.2763 1000+:￥0.3868 100+:￥0.5526 20+:￥0.8993 |
74500 |
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油柑网
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SSM3K35AMFV,L3F(B
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Toshiba(东芝)
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10000+:￥0.6265 5000+:￥0.6464 4000+:￥0.6464 1000+:￥0.716 500+:￥0.8254 300+:￥0.9547 110+:￥1.4853 |
16000 |
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3周-4周
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SSM3K35AMFV,L3F(B
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Toshiba(东芝)
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110+:￥1.4853 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 250mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.34 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 36 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |