SSM3K37MFV,L3F
TOSHIBA(东芝)
SOT-723
¥0.099
43,241
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
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封装
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SSM3K37MFV,L3F(T
TOSHIBA
VESM

1+:¥0.099

32242

2244
现货最快4H发
SSM3K37MFV,L3F
TOSHIBA(东芝)
SOT-723

8000+:¥0.1254

5000+:¥0.1309

1000+:¥0.1419

300+:¥0.1556

100+:¥0.1739

10+:¥0.2105

7890

-
立即发货
SSM3K37MFV,L3F(B
Toshiba(东芝)
0.8*1.2*0.5mm

1000+:¥0.4231

500+:¥0.5054

300+:¥0.6112

210+:¥0.726

3109

-
3周-4周
SSM3K37MFV,L3F(T
TOSHIBA(东芝)
SOT-723

8000+:¥0.116

1+:¥0.129

0

-
立即发货
SSM3K37MFV,L3F(T
东芝(TOSHIBA)
VESM

80000+:¥0.1276

16000+:¥0.1378

8000+:¥0.145

1000+:¥0.203

100+:¥0.29

20+:¥0.472

0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 250mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
Vgs(最大值) ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 12 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 150mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-723