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CSD19505KCS
TI(德州仪器)
TO-220
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：150A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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封装
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价格(含税)
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渠道
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TI(德州仪器)
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TO-220
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1000+:￥7.8792 500+:￥8.1634 100+:￥8.8102 50+:￥10.45 10+:￥11.88 1+:￥14.17 |
1324 |
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立即发货
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立创商城
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TEXAS INSTRUMENTS
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TO-220-3
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1000+:￥7.9093 300+:￥8.1465 100+:￥8.4708 30+:￥9.412 10+:￥11.3102 1+:￥12.6547 |
1969 |
22+
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1-3工作日
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云汉芯城
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Texas Instruments
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TO-220-3
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4000+:￥7.946 3000+:￥8.083 2000+:￥8.22 1000+:￥8.357 |
10000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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Texas Instruments
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TO-220-3
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1000+:￥8.4946 500+:￥9.0549 10+:￥9.7212 |
19580 |
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3-6工作日
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云汉芯城
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Texas Instruments
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TO-220-3
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3000+:￥14.0 2000+:￥14.375 |
485370 |
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10-12工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 150A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.8 毫欧 @ 100A，6V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 76 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7820 pF @ 40 V |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | External:2 |