TPM7002DFN3
TECH PUBLIC(台舟)
DFN1006-3L
¥0.0893
43,580
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):320mA,导通电阻(RDS(on)):3Ω@4.5V
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TPM7002DFN3
TECH PUBLIC(台舟)
DFN1006-3L

20000+:¥0.0893

10000+:¥0.0964

2000+:¥0.1231

600+:¥0.1384

200+:¥0.1639

20+:¥0.2098

43580

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 320mA
导通电阻(RDS(on)) 3Ω@4.5V