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IPD042P03L3 G
Infineon(英飞凌)
TO-252-3
场效应管(MOSFET)
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，耗散功率(Pd)：150W，工作温度：-55℃~+175℃
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IPD042P03L3 G
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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30+:￥6.92 10+:￥7.03 1+:￥7.19 |
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立即发货
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立创商城
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IPD042P03L3G
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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1000+:￥7.22 100+:￥7.22 20+:￥7.33 1+:￥7.49 |
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18+/19+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |