STD2N105K5
ST(意法半导体)
DPAK
¥6.62
673
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):1050 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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封装
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STD2N105K5
ST(意法半导体)
TO-252-3

100+:¥6.62

30+:¥7.59

10+:¥8.53

1+:¥10.04

673

20+/21+
STD2N105K5
ST(意法半导体)
DPAK

2500+:¥4.9755

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STD2N105K5
意法半导体(ST)
DPAK

2500+:¥7.9497

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1050 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 8 欧姆 @ 750mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 10 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 115 pF @ 100 V
功率耗散(最大值) 60W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63