咨询/建议
IPB017N10N5LFATMA1
Infineon(英飞凌)
TO-263-7
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：180A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
IPB017N10N5LFATMA1
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-263-7
|
500+:￥18.13 100+:￥19.37 30+:￥22.04 10+:￥24.68 1+:￥29.12 |
526 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
IPB017N10N5LFATMA1
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-263-7
|
1000+:￥20.5 1+:￥21.03 |
1000 |
24+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
IPB017N10N5LFATMA1
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-263-7
|
1000+:￥21.32 1+:￥21.8712 |
993 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
IPB017N10N5LFATMA1
|
INFINEON
|
PG-TO263-7
|
1+:￥39.2 |
0 |
-
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
IPB017N10N5LFATMA1
|
英飞凌(INFINEON)
|
TO-263-7
|
100+:￥51.3867 30+:￥61.664 10+:￥77.0801 1+:￥92.4961 |
0 |
-
|
油柑网
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 180A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.7 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.1V @ 270µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 195 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 840 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 313W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） |