HXY3134CI
华轩阳
SOT-523
¥0.077235
3,020
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):800mA,导通电阻(RDS(on)):150mΩ@2.5V,0.5A
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渠道
HXY3134CI
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-523

21000+:¥0.0772

9000+:¥0.0824

3000+:¥0.0919

600+:¥0.1117

200+:¥0.13

20+:¥0.1627

3020

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 800mA
导通电阻(RDS(on)) 150mΩ@2.5V,0.5A