SUM90P10-19L-E3
VISHAY(威世)
TO-263(D2PAK)
¥13.01
42,795
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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VISHAY(威世)
TO-263(D2Pak)

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Vishay(威世)
TO-263-3

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Vishay(威世)
D2PAK

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100+:¥14.707

4+:¥16.467

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3天-15天
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威世(VISHAY)
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8000+:¥17.402

1600+:¥18.7863

800+:¥19.775

400+:¥27.685

100+:¥39.55

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200+:¥34.2284

100+:¥34.5446

60+:¥34.9758

50+:¥35.1866

30+:¥36.049

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5+:¥46.7717

2+:¥84.0856

664

-
3周-4周

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 19 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 326 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 11100 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 13.6W(Ta),375W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB