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NX7002BKMBYL
Nexperia(安世)
DFN1006B-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：350mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NX7002BKMBYL
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Nexperia(安世)
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DFN1006B-3
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10000+:￥0.1698 5000+:￥0.1805 1000+:￥0.2018 300+:￥0.233 100+:￥0.2692 10+:￥0.3415 |
8280 |
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立创商城
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NX7002BKMBYL
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Nexperia(安世)
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DFN-1006B-3
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10000+:￥0.176 1+:￥0.194 |
3692 |
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圣禾堂
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DFN-1006B-3
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10000+:￥0.18304 1+:￥0.20176 |
3590 |
24+
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硬之城
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Nexperia(安世)
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SOT883B
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500+:￥0.2912 120+:￥0.4368 |
3592 |
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3天-15天
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唯样商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 350mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 欧姆 @ 200mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 23.6 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta），3.1W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |