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FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：2 N 沟道（双）共漏，FET 功能：逻辑电平门，不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250µA，不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：40nC @ 10V，功率 - 最大值：2.5W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：28A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@10V,14A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：800V，连续漏极电流(Id)：17A，导通电阻(RDS(on))：290mΩ@10V,11A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：250 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：64A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：114A，导通电阻(RDS(on))：7.4mΩ@10V,50A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：500mA，导通电阻(RDS(on))：150mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.3A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：220mA，导通电阻(RDS(on))：6Ω@4.5V,0.22A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：27mΩ@4.5V,6A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：73mΩ@1.8V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：340mA，导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：13Ω@2.5V,1mA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2.3Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：13Ω@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：1W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：180mA，导通电阻(RDS(on))：7.5Ω@10V,0.5A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V；80mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：285mA，导通电阻(RDS(on))：3.8Ω@4.5V,255mA
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：1A，导通电阻(RDS(on))：86mΩ@10V,3A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：800mA，导通电阻(RDS(on))：300mΩ@2.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：25V，连续漏极电流(Id)：4.3A，导通电阻(RDS(on))：130mΩ@10V；180mΩ@2.5V；150mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：83mΩ@2.5V,2A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@4.5V,6A
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.4A，导通电阻(RDS(on))：46mΩ@4.5V；59mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：1.3W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：80mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：31.5mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：1.5W
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@4.5V,2.3A，耗散功率(Pd)：290mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@10V；120mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.6A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@2.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V，耗散功率(Pd)：1.8W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：410mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：1.8Ω@10V,0.3A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：400mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：136mΩ@4.0V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：1.5A，导通电阻(RDS(on))：130mΩ@4.5V,1.5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：27mΩ@4.5V,6A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Tj），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：800 毫欧 @ 1A，10V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：540mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：550 毫欧 @ 540mA，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：23mΩ@10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：37mΩ@2.5V,5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：250V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：3.4Ω
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：4.3mΩ@10V,30A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.4A，导通电阻(RDS(on))：75mΩ@10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：700mA，导通电阻(RDS(on))：410mΩ@2.5V