DMP32D4SW-7
DIODES(美台)
SOT-323
¥0.156
39,729
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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DMP32D4SW-7
Diodes(美台)
SOT-323-3

3000+:¥0.156

1+:¥0.1768

12501

23+
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DMP32D4SW-7
美台(DIODES)
SOT-323-3

30000+:¥0.165

6000+:¥0.1781

3000+:¥0.1875

800+:¥0.2625

200+:¥0.375

10+:¥0.6104

12509

-
DMP32D4SW-7
DIODES(美台)
SOT-323

6000+:¥0.1736

3000+:¥0.1778

500+:¥0.1956

150+:¥0.206

50+:¥0.2198

5+:¥0.2475

2210

-
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DMP32D4SW-7
Diodes(达尔)
SOT-323

3000+:¥0.225

1500+:¥0.255

200+:¥0.2925

130+:¥0.3926

12509

-
3天-15天
DMP32D4SW-7
DIODES(美台)
SOT323

3000+:¥0.15

1+:¥0.17

12509

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 250mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.4 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 1.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 51.16 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 300mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323