DMN2041L-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.2538
5,203
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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DMN2041L-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.2538

6000+:¥0.274

3000+:¥0.2884

800+:¥0.4038

100+:¥0.5768

20+:¥0.9387

975

-
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3000+:¥0.265

1+:¥0.299

737

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3000+:¥0.2756

1+:¥0.31096

733

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600+:¥0.3705

50+:¥0.4551

5+:¥0.5688

238

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SOT-23

500+:¥0.3742

150+:¥0.4191

50+:¥0.479

5+:¥0.5987

1750

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 28 毫欧 @ 6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 15.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 550 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 780mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3