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PMZ550UNEYL
Nexperia(安世)
SOT-883
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：590mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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PMZ550UNEYL
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Nexperia(安世)
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DFN-1006-3
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10000+:￥0.218 1+:￥0.237 |
10260 |
25+
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圣禾堂
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PMZ550UNEYL
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Nexperia(安世)
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SOT-883
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10000+:￥0.22672 1+:￥0.24648 |
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25+
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硬之城
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PMZ550UNEYL
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安世(Nexperia)
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SOT-883
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100000+:￥0.2398 20000+:￥0.2589 10000+:￥0.2725 1000+:￥0.3815 100+:￥0.545 20+:￥0.887 |
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油柑网
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PMZ550UNEYL
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Nexperia(安世)
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SOT-883
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10000+:￥0.24719 |
50000 |
25+
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硬之城
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PMZ550UNEYL
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Nexperia(安世)
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SOT-883
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5000+:￥0.2561 2500+:￥0.2721 500+:￥0.3041 150+:￥0.3549 50+:￥0.4099 5+:￥0.5201 |
7915 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 590mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 670 毫欧 @ 590mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1.1 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 30.3 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 310mW（Ta），1.67W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |