SI2305
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.1622
5,758
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):4.1A,导通电阻(RDS(on)):52mΩ@4.5V
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BORN(伯恩半导体)
SOT-23

9000+:¥0.1622

6000+:¥0.1721

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300+:¥0.2462

100+:¥0.2794

10+:¥0.3456

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BORN(伯恩)
SOT-23

3000+:¥0.1805

1200+:¥0.2291

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100+:¥0.2626

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BORN(伯恩)
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140+:¥0.3757

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SOT-23

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3000+:¥0.1613

1500+:¥0.1814

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1+:¥0.3237

2400

24+
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规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 4.1A
导通电阻(RDS(on)) 52mΩ@4.5V