IRLML6402
华轩阳
SOT-23
¥0.10296
5,640
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):3.6A,导通电阻(RDS(on)):70mΩ@4.5V,3.6A
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IRLML6402
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-23

21000+:¥0.103

9000+:¥0.1097

3000+:¥0.1225

600+:¥0.1461

200+:¥0.1705

20+:¥0.2145

5640

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IRLML6402
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
SOT-23

9000+:¥0.0936

6000+:¥0.0961

3000+:¥0.0977

720000

24+
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 3.6A
导通电阻(RDS(on)) 70mΩ@4.5V,3.6A