BSS308PEH6327-HXY
华轩阳
SOT-23
¥0.101184
4,140
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):4.2A,导通电阻(RDS(on)):55mΩ@10V
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BSS308PEH6327-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-23

21000+:¥0.1012

9000+:¥0.1083

3000+:¥0.1217

600+:¥0.1405

200+:¥0.1662

20+:¥0.2123

4140

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 4.2A
导通电阻(RDS(on)) 55mΩ@10V