2V7002LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.2249
38,202
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
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2V7002LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

300+:¥0.2249

100+:¥0.2566

10+:¥0.3202

2940

-
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2V7002LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.25

1+:¥0.283

5309

24+
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2V7002LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.26

1+:¥0.29432

5303

24+
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2V7002LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.275

6000+:¥0.2969

3000+:¥0.3125

800+:¥0.4375

100+:¥0.625

20+:¥1.0172

5309

-
2V7002LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

100+:¥0.2872

1+:¥0.2989

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2418
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 115mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 225mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3