FDN306P
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.105
18,361
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):12V,连续漏极电流(Id):2.6A,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@4.5V
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渠道
FDN306P
UMW(友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.105

1+:¥0.119

5575

24+
立即发货
FDN306P
UMW(广东友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.1092

1+:¥0.12376

5571

24+
1-2工作日发货
FDN306P(UMW)
UMW(友台半导体)
SOT-23

9000+:¥0.1141

6000+:¥0.1231

3000+:¥0.1411

300+:¥0.175

100+:¥0.205

10+:¥0.265

1640

-
立即发货
FDN306P
UMW(友台)
SOT-23(TO-236)

3000+:¥0.1575

1500+:¥0.1785

250+:¥0.2055

5575

-
3天-15天
FDN306P
UMW/友台半导体
SOT-23

9000+:¥0.1105

6000+:¥0.1125

3000+:¥0.1145

180000

24+
5-9工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 12V
连续漏极电流(Id) 2.6A
导通电阻(RDS(on)) 30mΩ@4.5V