SI2301A-TP
MCC(美微科)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.086
22,506
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A(Tj),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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SI2301A-TP
MCC(美微科)
SOT-23-3

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MCC(美微科)
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SI2301A-TP
美微科(MCC)
SOT-23-3

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3000+:¥0.1075

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MCC(美微科)
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SI2301A-TP
MCC(美微科)
SOT-23

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.8A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 120 毫欧 @ 2.8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 14.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 880 pF @ 6 V
功率耗散(最大值) 1.25W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3