WNM4153-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
SOT-523
¥0.1716
19,747
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):880mA,导通电阻(RDS(on)):320mΩ@1.8V
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WNM4153-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
SOT-523

3000+:¥0.165

1+:¥0.186

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WNM4153-3/TR
WillSemi(韦尔)
SOT-523

3000+:¥0.1716

1+:¥0.19344

7541

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WNM4153-3/TR
韦尔(WILLSEMI)
SOT-523-3

30000+:¥0.1815

6000+:¥0.196

3000+:¥0.2063

800+:¥0.2888

100+:¥0.4126

20+:¥0.6716

4548

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WILLSEMI(韦尔)
SOT-523

300+:¥0.1965

100+:¥0.2265

10+:¥0.2865

1720

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WNM4153-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
SOT-523-3

100+:¥0.2254

20+:¥0.234

5+:¥0.2383

1390

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 880mA
导通电阻(RDS(on)) 320mΩ@1.8V