SSM3K56MFV,L3F
TOSHIBA(东芝)
SOT-723
¥0.266256
12,217
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):800mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
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渠道
SSM3K56MFV,L3F
TOSHIBA(东芝)
SOT-723

5000+:¥0.2663

2500+:¥0.2733

500+:¥0.2874

150+:¥0.3048

50+:¥0.3282

5+:¥0.375

4995

-
立即发货
SSM3K56MFV,L3F(B
Toshiba(东芝)

5000+:¥0.6564

4000+:¥0.6564

1000+:¥0.7061

500+:¥0.7757

300+:¥0.8652

120+:¥1.2649

7222

-
3周-4周
SSM3K56MFV,L3F
TOSHIBA(东芝)
VESM

8000+:¥0.17

1+:¥0.186

0

-
立即发货
SSM3K56MFV,L3F(T
东芝(TOSHIBA)
SOT-723

80000+:¥0.4103

16000+:¥0.4429

8000+:¥0.4662

1000+:¥0.6527

100+:¥0.9324

20+:¥1.5175

0

-
SSM3K56MFV,L3F
东芝(TOSHIBA)
SOT-723

5000+:¥0.418

2500+:¥0.4807

500+:¥0.5225

150+:¥0.5852

50+:¥0.7106

5+:¥0.836

0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 800mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 235 毫欧 @ 800mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 1 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 55 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 150mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-723