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TK6A80E,S4X
TOSHIBA(东芝)
TO-220-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：800 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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TK6A80E,S4X(S
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TOSHIBA(东芝)
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TO-220SIS
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1000+:￥2.05 500+:￥2.18 100+:￥2.42 30+:￥2.82 10+:￥3.23 1+:￥4.04 |
15075 |
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立即发货
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立创商城
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TK6A80E,S4X
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TOSHIBA(东芝)
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TO-220-3
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1000+:￥2.21 500+:￥2.27 100+:￥2.38 30+:￥2.57 10+:￥2.76 1+:￥3.13 |
5125 |
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立即发货
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立创商城
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TK6A80E,S4X(S
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Toshiba(东芝)
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20+:￥13.4058 |
26 |
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3周-4周
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唯样商城
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TK6A80E,S4X
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东芝(TOSHIBA)
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TO-220-3
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1000+:￥3.7333 500+:￥4.2933 100+:￥4.6666 30+:￥5.2266 10+:￥6.3466 1+:￥7.4666 |
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油柑网
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TK6A80E,S4X(S
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TOSHIBA
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1+:￥22.638 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.7 欧姆 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 600µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 32 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1350 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |