NCEP028N85D
NCE(无锡新洁能)
TO-263
¥4.41
2,025
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):85V,连续漏极电流(Id):200A,导通电阻(RDS(on)):2.8mΩ@10V
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NCEP028N85D
NCE(无锡新洁能)
TO-263

500+:¥4.41

100+:¥4.75

30+:¥5.53

10+:¥6.22

1+:¥7.46

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10+:¥6.22

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20+/21+

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 85V
连续漏极电流(Id) 200A
导通电阻(RDS(on)) 2.8mΩ@10V