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IRF9610PBF
VISHAY(威世)
TO-220
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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封装
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价格(含税)
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IRF9610PBF
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VISHAY(威世)
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Tube
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1000+:￥2.03 1+:￥2.14 |
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圣禾堂
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Vishay(威世)
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TO-220-3
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1000+:￥2.1112 1+:￥2.2256 |
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2年内
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硬之城
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威世(VISHAY)
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TO-220
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10000+:￥2.233 2000+:￥2.4106 1000+:￥2.5375 500+:￥3.5525 100+:￥5.075 10+:￥8.2596 |
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油柑网
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Vishay(威世)
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TO-220-3
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1000+:￥2.233 100+:￥2.354 20+:￥2.937 |
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VISHAY(威世)
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TO-220
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 900mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 11 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 170 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 20W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |