咨询/建议
STP4N150
ST(意法半导体)
TO-220
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
STP4N150
|
ST(意法半导体)
|
TO-220
|
100+:￥11.52 50+:￥13.33 10+:￥15.11 1+:￥17.94 |
118 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
STP4N150
|
ST(意法半导体)
|
TO-220-3
|
50+:￥12.17 1+:￥12.53 |
484 |
24+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
STP4N150
|
ST(意法半导体)
|
TO-220
|
50+:￥12.6568 1+:￥13.0312 |
476 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
STP4N150
|
ST(意法半导体)
|
TO-220
|
100+:￥12.78 30+:￥14.59 10+:￥16.37 1+:￥19.2 |
1166 |
20+/21+
|
在芯间
|
|
|
STP4N150
|
ST(意法半导体)
|
TO-220
|
50+:￥13.387 4+:￥13.783 |
484 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 欧姆 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 50 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 160W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |