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IRFB4020PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥2.6 1+:￥2.7248 |
2985 |
25+
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硬之城
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Infineon(英飞凌)
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1000+:￥2.6 1+:￥2.72 |
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥2.79 500+:￥2.94 100+:￥3.23 50+:￥3.73 10+:￥4.22 1+:￥5.22 |
1044 |
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立创商城
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英飞凌(INFINEON)
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TO-220
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500+:￥2.86 100+:￥3.0875 50+:￥3.25 20+:￥4.55 10+:￥6.5 1+:￥10.5788 |
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油柑网
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TO-220(TO-220-3)
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500+:￥3.82 100+:￥4.28 20+:￥5.18 1+:￥6.71 |
2348 |
22+/23+
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 29 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1200 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 100W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |