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RE1C001UNTCL
ROHM(罗姆)
SOT-416FL
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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RE1C001UNTCL
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ROHM(罗姆)
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EMT3F(SOT-416FL)
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3000+:￥0.105 1+:￥0.119 |
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圣禾堂
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RE1C001UNTCL
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ROHM(罗姆)
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SOT-416FL
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21000+:￥0.107 9000+:￥0.1143 3000+:￥0.1287 600+:￥0.1467 200+:￥0.1707 20+:￥0.2187 |
5840 |
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立创商城
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ROHM(罗姆)
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SOT-416FL-3
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3000+:￥0.1092 1+:￥0.12376 |
7266 |
2年内
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硬之城
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罗姆(ROHM)
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SOT-416FL
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30000+:￥0.1131 6000+:￥0.1221 3000+:￥0.1285 1000+:￥0.1799 500+:￥0.257 300+:￥0.4183 |
18000 |
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油柑网
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ROHM(罗姆)
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EMTF
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3000+:￥0.1575 1500+:￥0.1785 250+:￥0.2055 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 100µA |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7.1 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-89，SOT-490 |