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FDMS86101
onsemi(安森美)
Power56-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12.4A（Ta），60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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FDMS86101
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ON(安森美)
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Power-56-8
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3000+:￥1.8309 1000+:￥1.8649 500+:￥1.8989 100+:￥1.9312 10+:￥1.955 |
368 |
21+
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现货
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硬之城
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FDMS86101
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ON(安森美)
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8-PQFN（5x6）
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3000+:￥2.99 1+:￥3.12 |
5360 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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FDMS86101
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ON(安森美)
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Power-56-8
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3000+:￥3.1096 1+:￥3.2448 |
5358 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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FDMS86101
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安森美(onsemi)
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Power(5x6)
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30000+:￥3.289 6000+:￥3.5506 3000+:￥3.7375 800+:￥5.2325 200+:￥7.475 10+:￥12.1656 |
5360 |
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油柑网
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FDMS86101
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ON(安森美)
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3000+:￥3.289 1500+:￥3.432 750+:￥3.608 100+:￥3.894 20+:￥4.675 |
5360 |
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3天-15天
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唯样商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12.4A（Ta），60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 55 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3000 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），104W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |