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IRF3710STRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：57A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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封装
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价格(含税)
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IRF3710STRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥3.1 1+:￥3.23 |
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25+
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥3.34 500+:￥3.47 100+:￥4.16 30+:￥4.83 10+:￥5.42 1+:￥6.5 |
1957 |
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INFINEON
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TO-263
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1+:￥3.92 |
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京北通宇
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Infineon(英飞凌)
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TO-263AB（D²PAK）
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320+:￥4.3364 160+:￥4.5625 10+:￥5.316 1+:￥5.7189 |
275 |
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英飞凌(INFINEON)
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TO-263
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8000+:￥4.356 1600+:￥4.7025 800+:￥4.95 400+:￥6.93 100+:￥9.9 10+:￥16.1123 |
18128 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 57A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 23 毫欧 @ 28A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 130 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3130 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |