IPD350N06LGBTMA1
Infineon(英飞凌)
TO-252
¥1.4
5,666
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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IPD350N06LGBTMA1
Infineon(英飞凌)
TO-252-3(DPAK)

2500+:¥1.4

1+:¥1.47

2491

25+
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IPD350N06LGBTMA1
Infineon(英飞凌)
TO-252-3

2500+:¥1.456

1+:¥1.5288

2489

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IPD350N06LGBTMA1
Infineon(英飞凌)
TO-252

1000+:¥2.169

500+:¥2.214

100+:¥2.259

30+:¥2.412

10+:¥2.565

1+:¥2.88

686

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IPD350N06LGBTMA1
英飞凌(INFINEON)
TO-252-3

1000+:¥2.88

500+:¥3.312

100+:¥3.6

30+:¥4.032

10+:¥4.896

1+:¥5.76

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 29A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 35 毫欧 @ 29A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 28µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 13 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 800 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 68W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63