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BL3N150-B
BL(上海贝岭)
TO-263
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.5kV，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：5.8Ω@10V,1.5A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BL3N150-B
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Belling(贝岭)
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TO-263
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800+:￥4.68 1+:￥4.8776 |
788 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BL3N150-B
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BL(上海贝岭)
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TO-263
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100+:￥5.11 30+:￥6.06 10+:￥6.9 1+:￥8.43 |
463 |
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立即发货
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立创商城
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BELLING(上海贝岭)
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100+:￥5.159 8+:￥6.446 |
789 |
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唯样商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV |
| 连续漏极电流(Id) | 3A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8Ω@10V,1.5A |