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SQM120P06-07L_GE3
VISHAY(威世)
TO-263
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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渠道
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SQM120P06-07L_GE3
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VISHAY(威世)
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TO-263（D2Pak）
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800+:￥10.4 1+:￥10.69 |
1355 |
2年内
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圣禾堂
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SQM120P06-07L_GE3
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VISHAY(威世)
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TO-263
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800+:￥10.486 500+:￥10.633 100+:￥10.9858 30+:￥12.01 10+:￥12.78 1+:￥14.02 |
1748 |
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立创商城
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Vishay(威世)
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TO-263-3
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800+:￥10.816 1+:￥11.1176 |
1344 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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SQM120P06-07L_GE3
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Vishay(威世)
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TO-263-3
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800+:￥10.816 1+:￥11.1176 |
551 |
23+
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硬之城
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SQM120P06-07L_GE3
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威世(VISHAY)
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TO-263-2
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8000+:￥11.187 1600+:￥12.0769 800+:￥12.7125 400+:￥17.7975 100+:￥25.425 10+:￥41.3792 |
2400 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.7 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 270 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 14280 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |