咨询/建议
HXY3139CI
华轩阳
SOT-523
场效应管(MOSFET)
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：660mA，导通电阻(RDS(on))：780mΩ@2.5V,0.2A
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
HXY3139CI
|
HXY MOSFET(华轩阳电子)
|
SOT-523
|
9000+:￥0.0679 6000+:￥0.0727 3000+:￥0.0817 300+:￥0.0933 100+:￥0.1106 10+:￥0.1417 |
10690 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
HXY3139CI
|
HXY MOSFET(华轩阳电子)
|
SOT-523
|
3000+:￥0.079 300+:￥0.093 100+:￥0.112 20+:￥0.138 |
18000 |
24+
|
在芯间
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@2.5V,0.2A |