NDS331N-HXY
华轩阳
SOT-23
¥0.0515
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场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):2.3A,导通电阻(RDS(on)):55mΩ@4.5V
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NDS331N-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-23

3000+:¥0.0515

600+:¥0.0523

200+:¥0.0532

20+:¥0.0544

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 2.3A
导通电阻(RDS(on)) 55mΩ@4.5V