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SI2312BDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.9A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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SI2312BDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.859 1+:￥0.906 |
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23+
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圣禾堂
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SI2312BDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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6000+:￥0.8608 3000+:￥0.9184 500+:￥1.0144 150+:￥1.3568 50+:￥1.5297 5+:￥1.933 |
14235 |
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立创商城
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SI2312BDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.89336 1+:￥0.94224 |
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23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI2312BDS-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:￥0.9449 6000+:￥1.0201 3000+:￥1.0738 800+:￥1.5033 200+:￥2.1476 10+:￥3.4952 |
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油柑网
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SI2312BDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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500+:￥0.99 150+:￥1.32 50+:￥1.48 5+:￥1.87 |
3000 |
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 31 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 850mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 12 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |