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FQD11P06TM
onsemi(安森美)
DPAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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FQD11P06TM
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onsemi(安森美)
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DPAK
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1000+:￥3.2015 500+:￥3.325 100+:￥3.61 30+:￥4.48 10+:￥5.08 1+:￥6.17 |
475 |
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立即发货
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立创商城
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FQD11P06TM
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onsemi(安森美)
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D-PAK
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500+:￥4.05 100+:￥4.62 20+:￥6.33 1+:￥7.84 |
850 |
23+/21+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 185 毫欧 @ 4.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 17 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 550 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），38W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |