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HYG038N03LR1D
HUAYI(华羿微)
TO-252-2L
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：78A，导通电阻(RDS(on))：6.3mΩ@4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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HYG038N03LR1D
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HUAYI(华羿微)
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TO-252-2L
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2500+:￥0.2935 500+:￥0.3458 150+:￥0.3908 50+:￥0.4508 5+:￥0.5708 |
3895 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 78A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@4.5V |