HAONR21321
华轩阳
DFN3X3-8L
¥0.530937
1,970
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):50A,导通电阻(RDS(on)):13mΩ@10V
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HAONR21321
HXY MOSFET(华轩阳电子)
DFN3X3-8L

5000+:¥0.5309

2500+:¥0.5611

500+:¥0.6113

150+:¥0.7241

50+:¥0.8145

5+:¥1.0254

1970

-
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HAONR21321
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子

15000+:¥0.4813

10000+:¥0.4938

5000+:¥0.5022

720000

24+
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 50A
导通电阻(RDS(on)) 13mΩ@10V